ROHM Semiconductor hat neue Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) mit 100 V Durchbruchspannung angekündigt, die eine Reverse Recovery Time (trr) für Stromversorgungs- und Schutzschaltungen in Automobil-, Industrie- und Verbraucheranwendungen bieten. Obwohl es zahlreiche Arten von Dioden gibt, werden hocheffiziente SBDs zunehmend in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt. SBDs mit einer Trench-MOS-Struktur bieten eine niedrigere VF als planare Typen und ermöglichen eine höhere Effizienz bei Gleichrichtungsanwendungen.

Ein Nachteil von Trench-MOS-Strukturen ist jedoch, dass sie in der Regel ein besseres trr aufweisen als planare Topologien, was zu einer höheren Verlustleistung führt, wenn sie zum Schalten verwendet werden. Als Antwort darauf hat ROHM eine neue Serie von SBDs entwickelt, die eine proprietäre Trench-MOS-Struktur verwenden, die gleichzeitig sowohl VF als auch IR (die sich in einem Trade-off-Verhältnis befinden) reduziert und gleichzeitig ein klassenführendes trr erreicht. Die YQ-Serie ist die erste Serie von ROHM, die eine Trench-MOS-Struktur verwendet, und ergänzt die vier bestehenden konventionellen SBD-Serien, die für eine Vielzahl von Anforderungen optimiert wurden.

Das firmeneigene Design erreicht einen klassenbesten trr-Wert von 15ns, der die trr-Verluste um ca. 37% und die Gesamtschaltverluste um ca. 26% im Vergleich zu allgemeinen Trench-MOS-Produkten reduziert und so zu einer geringeren Leistungsaufnahme der Anwendung beiträgt. Die neue Struktur verbessert außerdem sowohl die VF- als auch die IR-Verluste im Vergleich zu herkömmlichen planaren SBDs. Dies führt zu einer geringeren Verlustleistung bei Anwendungen mit Vorwärtsspannung, wie z.B. der Gleichrichtung, und verringert gleichzeitig das Risiko eines thermischen Durchgehens, das bei SBDs ein großes Problem darstellt.

Daher sind sie ideal für Geräte, die ein schnelles Schalten erfordern, wie z.B. Antriebsschaltungen für LED-Scheinwerfer und DC-DC-Wandler in xEVs, die zur Wärmeentwicklung neigen. ROHM wird sich in Zukunft bemühen, die Qualität seiner Halbleiterbauelemente von der Nieder- bis zur Hochspannung weiter zu verbessern und gleichzeitig sein umfangreiches Angebot zu erweitern, um den Stromverbrauch weiter zu senken und eine größere Miniaturisierung zu erreichen. Die Trench-MOS-Struktur entsteht durch die Bildung eines Grabens mit Polysilizium in der epitaktischen Waferschicht, um die Konzentration des elektrischen Feldes abzuschwächen.

Infolgedessen verbessert die YQ-Serie VF und IR um etwa 7% bzw. 82% im Vergleich zu herkömmlichen Produkten. Im Gegensatz zu typischen Trench-MOS-Strukturen, bei denen die trr aufgrund der größeren parasitären Kapazität (Widerstandskomponente im Bauelement) schlechter ist als bei planaren Typen, wird bei der YQ-Serie durch ein einzigartiges Strukturdesign eine trr von 15ns erreicht. Dadurch können die Schaltverluste um ca. 26% reduziert werden, was zu einem geringeren Stromverbrauch der Anwendung beiträgt".

Anwendungshinweise, in denen die Vorteile dieser Produkte in Schaltungen hervorgehoben werden, sowie ein White Paper, in dem die Merkmale der einzelnen SBD-Serien hervorgehoben werden, sind auf der Website von ROHM verfügbar. Außerdem steht eine SBD-Seite zur Verfügung, auf der Benutzer die Produktoptionen durch Eingabe von Spannungsbedingungen und anderen Parametern eingrenzen können, was den Auswahlprozess beim Design erleichtert. ROHM SBD-Produktseite: < < URL> Anwendungshinweis: Vorteile der YQ-Serie: Kompakte Schottky-Barrier-Dioden mit hohem Wirkungsgrad für die Automobilindustrie.

Weißbuch: ROHMs SBD-Produktpalette trägt zu größerer Miniaturisierung und geringeren Verlusten in Automobilen, Industrie- und Konsumgütern bei.