Magnachip Semiconductor Corporation hat die Markteinführung seiner 1200V und 650V Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) bekannt gegeben, die für die PTC-Heizungen (Positive Temperature Coefficient) von Elektrofahrzeugen (EVs) entwickelt wurden. Die neu eingeführten AMBQ40T120RFRTH (1200V) und AMBQ40T65PHRTH (650V) basieren auf der hochmodernen Field Stop Trench-Technologie von Magnachip und bieten eine Mindestkurzschlussfestigkeit von 10us. Dank dieser bemerkenswerten Robustheit sind die PTC-Heizer vor einem dauerhaften Ausfall bei Überstrom geschützt.

Darüber hinaus ermöglicht der dicke und große Kühlkörper des TO-247-Gehäuses diesen neuen IGBTs eine hervorragende Wärmeableitung. Daher eignen sich diese IGBTs gut für Anwendungen, die eine hohe Leistung und Effizienz erfordern, wie z.B. die Ober- und Unterseite von integrierten Schaltungen für das Leistungsmanagement von PTC-Heizungen.