Magnachip Semiconductor Corporation gab bekannt, dass das Unternehmen seinen 600-V-Super-Junction-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (SJ MOSFET) der 6. Generation vorgestellt hat, der mit modernster Mikrofabrikationstechnologie entwickelt wurde. Dieser 600V-SJ-MOSFET der 6. Generation (MMD60R175S6ZRH) wurde auf der Grundlage des 180nm-Mikrofabrikationsprozesses und der neuesten Designtechnologie von Magnachip entwickelt. Diese ausgefeilte Technologie verbessert die vorherige Generation der SJ-MOSFETs, indem sie die Zellabstände um 50% verengt und den RDS(on) (Einschaltwiderstand: der Widerstandswert zwischen Drain und Source von MOSFETs im Ein-Zustand) um 42% senkt.

Das Ergebnis ist, dass dieses Produkt im gleichen Decawatt-Paket (DPAK) geliefert wird, während es den niedrigen RDS(on) von 175m und eine hervorragende Leistungsdichte bietet. Darüber hinaus wurde die gesamte Gate-Ladung im Vergleich zur vorherigen Generation um ca. 29% gesenkt, was zu geringeren Schaltverlusten und einer verbesserten Leistungseffizienz führt. Die Leistungseffizienz ist in der Tat eines der Hauptmerkmale dieses Produkts, da sie den Produktdesignern Flexibilität im Hinblick auf verschiedene Anwendungen bietet.

Darüber hinaus ist zwischen Gate und Source eine Zener-Diode eingebettet, um die Robustheit und Zuverlässigkeit des MOSFET in einer Anwendung zu erhöhen und zu verhindern, dass er durch externe Überspannungen oder elektrostatische Entladungen beschädigt wird. Mit seiner hohen Effizienz, seinem flexiblen Design und seiner Zuverlässigkeit kann dieser neue 600V SJ-MOSFET in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden, z.B. in Servern, OLED-Fernsehern und Laptop-Schnellladegeräten. Omdia, ein globales Marktforschungsunternehmen, schätzt, dass die weltweiten Serverlieferungen von 2023 bis 2027 jährlich um 8% wachsen werden, während die weltweiten OLED-TV-Lieferungen jedes Jahr um 11% zunehmen und im Jahr 2027 insgesamt 9,3 Millionen Einheiten erreichen werden.