Renesas Electronics Corporation und Wolfspeed, Inc. gaben den Abschluss einer Vereinbarung über die Lieferung von Siliziumkarbid-Wafern bekannt. Renesas hat eine Anzahlung in Höhe von 2 Milliarden US-Dollar geleistet, um sich eine 10-jährige Lieferverpflichtung für Siliziumkarbid-Bare- und Epitaxial-Wafer von Wolfspeed zu sichern. Die Lieferung hochwertiger Siliziumkarbid-Wafer von Wolfspeed wird Renesas den Weg ebnen, die Produktion von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern ab 2025 zu steigern. Die feierliche Unterzeichnung der Vereinbarung fand am Hauptsitz von Renesas in Tokio zwischen Hidetoshi Shibata, Präsident und CEO von Renesas, und Gregg Lowe, Präsident und CEO von Wolfspeed, statt.

Die auf zehn Jahre angelegte Liefervereinbarung sieht vor, dass Wolfspeed Renesas mit 150mm Siliziumkarbid-Wafern beliefert, die ab CY2025 skalieren. Damit untermauern die beiden Unternehmen ihre Vision eines branchenweiten Übergangs von Silizium zu Siliziumkarbid-Halbleiter-Leistungsbauelementen. Die Vereinbarung sieht außerdem vor, Renesas mit 200mm Siliziumkarbid-Bare- und Epitxialwafern zu beliefern, sobald das kürzlich angekündigte John Palmour Manufacturing Center für Siliziumkarbid (das "JP") vollständig in Betrieb ist. Der Bedarf an effizienteren Leistungshalbleitern, die Strom liefern und verwalten, steigt in der Automobilbranche und in industriellen Anwendungen dramatisch an, angetrieben durch das Wachstum von Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energien.

Renesas reagiert schnell auf die wachsende Nachfrage nach Leistungshalbleitern, indem es seine eigenen Produktionskapazitäten ausbaut. Das Unternehmen hat vor kurzem die Wiederaufnahme der Produktion von IGBTs in seinem Werk in Kofu und die Einrichtung einer Produktionslinie für Siliziumkarbid in seinem Werk in Takasaki angekündigt. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Leistungshalbleitern ermöglichen Siliziumkarbid-Bauelemente eine höhere Energieeffizienz, eine größere Leistungsdichte und niedrigere Systemkosten.

In einer zunehmend energiebewussten Welt wird der Einsatz von Siliziumkarbid in zahlreichen großvolumigen Anwendungen wie Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und Speichermedien, Ladeinfrastrukturen, industriellen Stromversorgungen, Traktions- und drehzahlvariablen Antrieben immer weiter verbreitet sein.