Transphorm, Inc. gab die Verfügbarkeit von zwei neuen Referenzdesigns für Ladeanwendungen für Elektrofahrzeuge (EV) bekannt. Die 300 W und 600 W Konstantstrom-/Konstantspannungs-Batterieladegeräte (CC/CV) verwenden die 70 und 150 Milliohm SuperGaN®-Bauelemente des Unternehmens, um eine hocheffiziente AC/DC-Leistungsumwandlung mit hoher Leistungsdichte zu wettbewerbsfähigen Kosten zu ermöglichen. Die Referenzdesigns sollen die Großserienproduktion von Ladegeräten für 2- und 3-Rad-EVs ermöglichen, von denen in Indien und China jährlich über 14 Millionen bzw. über 45 Millionen verkauft werden.

Die Referenzdesigns können auch für eine Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden, darunter Schnellladegeräte, dimmbare LED-Treiber, Spielkonsolen und Hochleistungslaptops. Open-Frame CC/CV AC-zu-DC-Akkuladegeräte: Die 300-W- und 600-W-Referenzdesigns kombinieren die SuperGaN-FETs und Controller in den beliebten Leistungsfaktorkorrektur- (PFC) und resonanten LLC-Topologien, wobei die LLC-Topologie speziell für einen großen Batteriebereich (von leer bis voll geladen) ausgelegt ist. Die SuperGaN-Plattform von Transphorm ermöglicht es Entwicklern von Stromversorgungssystemen, das Leistungspotenzial von PFC+LLC zu maximieren und die höchstmögliche Effizienz dieser Topologien zu wettbewerbsfähigen Kosten zu erzielen.

Die Referenzdesigns verwenden rein analoge Controller im Gegensatz zu digitalen Controllern, die Firmware benötigen. Diese Konfiguration bietet mehrere Vorteile, wie z.B. eine einfachere Designfähigkeit und eine vereinfachte Produktentwicklung durch: Geringerer Bedarf an Entwicklungsressourcen; geringere Entwicklungszeit; Wegfall der Notwendigkeit einer potenziell komplexen Firmware-Programmierung/Wartung. Hinweis: Das 300-W-Referenzdesign verfügt über einen zusätzlichen PWM-Eingang für die Anforderung von Ausgangsströmen, die unter dem Nennwert liegen, und bietet damit weitere Flexibilität für alle Batterietypen.

Die Referenzdesigns nutzen die SuperGaN-FETs von Transphorm, die für ihre besonderen Vorteile bekannt sind, wie z.B: Branchenführende Robustheit mit einer Gate-Schwelle von +/- 20 V und einer Rauschimmunität von 4 V; einfachere Designbarkeit durch Verringerung des Schaltungsaufwands rund um das Bauteil; einfachere Ansteuerbarkeit, da die FETs mit bekannten, handelsüblichen Treibern für Siliziumbauteile kombiniert werden können.