Soitec und Tokai Carbon sind eine strategische Partnerschaft für die Entwicklung und Lieferung von polykristallinen Siliziumkarbid-Substraten eingegangen, die speziell für Soitec SmartSiCTM-Wafer entwickelt wurden. Siliziumkarbid ist ein bahnbrechender Verbindungshalbleiter, und die SmartSiCTM-Substrate beschleunigen die Einführung von Siliziumkarbid für Anwendungen in den Bereichen Elektromobilität, Industrie und intelligente Stromnetze, indem sie eine überragende Herstellungs- und Kosteneffizienz mit einem verbesserten ökologischen Fußabdruck bieten. Im Rahmen dieser Partnerschaft, bei der Tokai Carbon 150mm und 200mm Poly-SiC-Wafer an Soitec liefert, nutzen die beiden Unternehmen ihre fortschrittlichen F&E-Kapazitäten, um das SmartSiCTM-Ökosystem zu verbessern.

Die fortschrittliche Technologie und Fertigungskapazität von Tokai Carbon im Bereich polykristallines Siliziumkarbid (polySiC) in Verbindung mit dem Recht zur Nutzung der Soitec-Spezifikationen für PolySiC-Grobwafer, die mit Soitec SmartSiCTM kompatibel sind, wird voraussichtlich einen strategischen Beitrag zum weltweiten Hochlauf der SmartSiCTM-Waferproduktion leisten.