Das Material, Siliziumkarbid (SiC), wird für die Herstellung einer wachsenden Zahl von Chips verwendet, die das Energiemanagement von Elektrofahrzeugen verbessern.

Es ist auch ein Wachstumstreiber für die beiden Unternehmen, die in letzter Zeit von einer weltweiten Chip-Knappheit und dem daraus resultierenden Anstieg von Nachfrage und Preisen profitiert haben.

Im Rahmen der verstärkten Zusammenarbeit hat STMicro, zu dessen größten Kunden der Elektrofahrzeughersteller Tesla Inc. gehört, vereinbart, die SiC-Substrat-Technologie von Soitec in Form eines größeren, 200 Millimeter großen Wafers zu verwenden, der demnächst auf den Markt kommt, so die beiden Unternehmen in einer Erklärung.

Die sogenannte Qualifizierung des neuen Soitec-Substrats durch STMicro in den nächsten 18 Monaten bedeutet, dass der französisch-italienische Chiphersteller die Technologie selbst herstellen kann, da er die Produktion von SiC-Chips hochfahren muss.

"Dies wird dazu beitragen, die Einführung von Elektroautos zu beschleunigen", sagte Pierre Barnabe, Geschäftsführer von Soitec, und fügte hinzu, dass 200-mm-Wafer die Herstellung von mehr Komponenten ermöglichen und die Lademöglichkeiten von Autos verbessern.

Die Zusammenarbeit zwischen Soitec und STMicro ist zwar nicht exklusiv, verschafft STMicro aber einen Zeitvorteil bei der Einführung der Technologie.

STMicro will in diesem Jahr SiC-Chips im Wert von 700 Millionen Dollar verkaufen und strebt bis 2023 einen Umsatz von 1 Milliarde Dollar an, wie das Unternehmen mitteilte.

Der Genfer Konzern erklärte im Oktober, dass er eine 730 Millionen Euro teure Siliziumkarbid-Wafer-Fabrik in Italien bauen wird. Dies ist das erste Projekt dieser Art, das im Rahmen der Bemühungen der Europäischen Union, die Chip-Produktion näher an die Heimat zu bringen, genehmigt wurde.