Die Mitsubishi Electric Corporation gab bekannt, dass sie ab dem 10. Juni 2024 mit der Auslieferung der Niederstromversionen 3,3kV/400A und 3,3kV/200A eines in eine Schottky-Barrier-Diode (SBD) eingebetteten Siliziumkarbid (SiC)-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET)-Moduls für große Industrieanlagen, einschließlich Schienenfahrzeuge und Stromversorgungssysteme, begonnen hat. Zusammen mit der bestehenden 3,3kV/800A-Version umfasst die neu benannte UnifullTM-Serie drei Module, um die wachsende Nachfrage nach Wechselrichtern zu befriedigen, die in der Lage sind, die Leistungsabgabe und die Effizienz der Stromumwandlung in großen Industrieanlagen zu erhöhen. Die neuen Module werden auf wichtigen Messen ausgestellt, darunter die Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Europe 2024 in Nürnberg, Deutschland, vom 11. bis 13. Juni 2024.

Die SBD-embedded SiC-MOSFET-Module von Mitsubishi Electric, einschließlich der am 29. März vorgestellten 3,3kV/800A-Version, zeichnen sich durch eine optimierte Gehäusestruktur aus, die Schaltverluste reduziert und die SiC-Leistung verbessert. Im Vergleich zu bestehenden Leistungsmodulen reduzieren die UnifullTM-Module die Schaltverluste erheblich und tragen zu einer höheren Ausgangsleistung und einem höheren Wirkungsgrad in großen Industrieanlagen bei. Damit eignen sie sich für Hilfsstromversorgungen in Triebwagen und Antriebssystemen mit relativ kleinen Kapazitäten. Produktmerkmale: Niederstrom-Module für Wechselrichter verschiedener Leistungsklassen Die neuen 3,3kV/400A und 3,3kV/200A Versionen des SBD-embedded SiC-MOSFET-Moduls von Mitsubishi Electric bilden zusammen mit dem bestehenden 3,3kV/800A die neue UnifullTM-Serie.

Die neuen Niederstrommodule eignen sich für die Hilfsstromversorgung von Schienenfahrzeugen und Antriebssystemen mit relativ geringer Kapazität. Sie erweitern den Anwendungsbereich für die Verbesserung des Wirkungsgrads der Leistungsumwandlung von Wechselrichtern in großen Industrieanlagen mit unterschiedlichem Leistungsbedarf.