Die CVD Equipment Corporation gab bekannt, dass sie einen weiteren Auftrag über zehn (10) Hochleistungsanlagen des Typs PVT-150 erhalten hat. Die Anlagen werden für die Züchtung von monokristallinen Siliziumkarbid (SiC)-Boules mit einem Durchmesser von 150 mm eingesetzt, die anschließend zu SiC-Wafern für die Leistungselektronik verarbeitet werden. Die Anlagen sollen in der ersten Hälfte des Jahres 2023 ausgeliefert werden. SiC-Leistungselektronik ermöglicht eine höhere Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad als ihre siliziumbasierten Vorgänger, was schnellere Ladezeiten und eine höhere Leistung ermöglicht.

Die Automobilindustrie treibt den Einsatz von SiC voran, da es als effizientere Alternative zu Silizium gilt. Der Einsatz von SiC in Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge ermöglicht eine höhere Effizienz, eine größere Reichweite und/oder eine geringere Batteriegröße. Darüber hinaus ermöglicht der Einsatz von SiC in Ladeinfrastrukturen eine höhere Leistung und ein schnelleres Aufladen, was ein zunehmender Trend in der Elektrofahrzeugindustrie ist.

Da die Nachfrage nach SiC-Bauelementen für Hochleistungselektronik für Elektrofahrzeuge, Energie- und Industrieanwendungen weiter steigt, ist Physical Vapor Transport (PVT) die führende Herstellungsmethode für die Züchtung von SiC-Kügelchen für die Waferproduktion. CVD Equipment verfügt über fachmännisch entwickelte PVT-Systeme, die die Produktion von hochwertigen SiC-Bohles für SiC-Wafer mit hoher Ausbeute unterstützen. Wir bieten derzeit Kristallzüchtungssysteme mit einer Größe von 150 mm an und sind bestrebt, den kritischen Bedarf der Industrie an Großserienproduktion zu decken und die Entwicklung hin zu Systemen mit einer Größe von 200 mm und mehr zu unterstützen.