Vishay Intertechnology, Inc. Zwei neue symmetrische 30-V-Doppel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die High-Side- und Low-Side-TrenchFET-Gen-V-MOSFETs in einem einzigen 3,3 mm x 3,3 mm großen Powerpair 3x3FS-Gehäuse vereinen, werden vorgestellt
Am 23. Januar 2023 um 17:00 Uhr
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Vishay Intertechnology, Inc. hat zwei neue symmetrische 30-V-Doppel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs vorgestellt, die High-Side- und Low-Side-TrenchFETs der Generation V in einem einzigen 3,3 mm x 3,3 mm großen PowerPAIR 3x3FS-Gehäuse kombinieren. Die Vishay SiliconixSiZF5300DT und SiZF5302DT erhöhen die Effizienz bei der Leistungsumwandlung in Computer- und Telekommunikationsanwendungen, während sie gleichzeitig die Anzahl der Komponenten reduzieren und das Design vereinfachen. Die neuen Dual-MOSFETs können anstelle von zwei diskreten Bauelementen im PowerPAK 1212-Gehäuse verwendet werden u und sparen 50 % Platz auf der Leiterplatte u und bieten gleichzeitig eine 63 % kleinere Grundfläche als Dual-MOSFETs im PowerPAIR 6x5F.
Die MOSFETs bieten Entwicklern platzsparende Lösungen für synchrone Abwärtswandler, Point-of-Load (POL)-Wandler und DC/DC-Module in Laptops mit USB-C-Stromversorgung, Servern, Gleichstromlüftern und Telekommunikationsgeräten. In diesen Anwendungen bilden die High- und Low-Side-MOSFETs des SiZF5302DT eine optimierte Kombination für 50 % Einschaltdauer und klassenbeste Effizienz, insbesondere von 1 A bis 4 A, während der SiZF5300DT eine optimierte Kombination für hohe Lasten im Bereich von 12 A bis 15 A bietet. Der SiZF5300DT und der SiZF5302DT nutzen die 30 V Gen V Technologie von Vishay für einen optimalen On-Widerstand und eine optimale Gate-Ladung.
Der SiZF5300DT bietet einen typischen On-Widerstand von 2,02 mO bei 10 V und 2,93 mO bei 4,5 V, während der SiZF5302DT einen On-Widerstand von 2,7 mO bei 10 V und 4,4 mO bei 4,5 V aufweist. Die typische Gate-Ladung für die MOSFETs bei 4,5 V beträgt 9,5 nC bzw. 6,7 nC. Der resultierende extrem niedrige On-Widerstand mal Gate-Ladung u eine wichtige Kennzahl (FOM) für MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsanwendungen eingesetzt werden u ist 35 % niedriger als bei Lösungen der vorherigen Generation mit ähnlichem On-Widerstand. Für Hochfrequenz-Schaltanwendungen ergibt sich daraus ein um 2 % höherer Wirkungsgrad, der einen Wirkungsgrad von 98 % bei 100 W ermöglicht. Die Flip-Chip-Technologie der Bausteine verbessert die Wärmeableitung, während ihre einzigartige Pin-Konfiguration ein vereinfachtes PCB-Layout ermöglicht und verkürzte Schaltschleifen zur Minimierung der parasitären Induktivität unterstützt.
Der SiZF5300DT und der SiZF5302DT sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft, RoHS-konform und halogenfrei.
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Vishay Intertechnology, Inc. (Vishay) stellt ein Portfolio von diskreten Halbleitern und passiven elektronischen Komponenten her, die Designs in den Bereichen Automobil, Industrie, Computer, Verbraucher, Telekommunikation, Militär, Luft- und Raumfahrt und Medizin unterstützen. Vishay entwickelt, fertigt und vermarktet elektronische Komponenten, die eine Reihe von Funktionen und Technologien abdecken. Die Produkte des Unternehmens umfassen Standard-, Nicht-Standard- und kundenspezifische Produkte. Zu den Marken von Vishay gehören Siliconix, Dale, Draloric, Beyschlag, Sfernice, MCB, UltraSource, Applied Thin-Film Products, IHLP, HiRel Systems, Sprague, Vitramon, Barry, und BCcomponents. Zu den Halbleiterprodukten von Vishay gehören Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), Dioden und optoelektronische Komponenten. Die Halbleiterkomponenten des Unternehmens werden für eine Vielzahl von Funktionen eingesetzt, darunter Leistungssteuerung, Leistungsumwandlung, Signalumschaltung, Signalführung, Signalsperrung, Zwei-Wege-Datenübertragung und Isolierung von Schaltkreisen.
Vishay Intertechnology, Inc. Zwei neue symmetrische 30-V-Doppel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die High-Side- und Low-Side-TrenchFET-Gen-V-MOSFETs in einem einzigen 3,3 mm x 3,3 mm großen Powerpair 3x3FS-Gehäuse vereinen, werden vorgestellt
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