STMicroelectronics und Soitec haben die nächste Stufe ihrer Zusammenarbeit bei Siliziumkarbid (SiC)-Substraten angekündigt. Die Qualifizierung der SiC-Substrat-Technologie von Soitec durch ST ist für die nächsten 18 Monate geplant. Ziel dieser Zusammenarbeit ist die Übernahme der SmartSiC-Technologie von Soitec durch ST für die künftige Herstellung von 200-mm-Substraten, die das Unternehmen bei der Herstellung von Bauelementen und Modulen einsetzen wird, wobei mittelfristig eine Serienproduktion erwartet wird. Siliziumkarbid (SiC) ist ein bahnbrechendes Verbindungshalbleitermaterial mit inhärenten Eigenschaften, die eine höhere Leistung und Effizienz als Silizium in wichtigen, wachstumsstarken Energieanwendungen, u.a. für Elektromobilität und industrielle Prozesse, ermöglichen. Es ermöglicht eine effizientere Energieumwandlung, leichtere und kompaktere
Designs und allgemeine Kosteneinsparungen beim Systemdesign - alles wichtige Parameter und Faktoren für den Erfolg von Automobil- und Industriesystemen. Der Übergang von 150-mm- zu 200-mm-Wafern ermöglicht eine erhebliche Kapazitätssteigerung mit einer fast doppelt so großen Nutzfläche für die Herstellung integrierter Schaltkreise, so dass pro Wafer die 1,8- bis 1,9-fache Anzahl von Arbeitschips hergestellt werden kann. SmartSiC ist eine Soitec-eigene Technologie, die die Soitec-eigene SmartCut-Technologie nutzt, um eine dünne Schicht eines hochwertigen SiC-"Donor"-Wafers abzuspalten und auf einen PolySiC-Wafer mit niedrigem Widerstand zu kleben, der als "Handle" bezeichnet wird. Das so hergestellte Substrat verbessert die Leistung der Bauelemente und die Produktionsausbeute. Der hochwertige SiC-"Donor"-Wafer kann mehrfach wiederverwendet werden, was den Gesamtenergieverbrauch für seine Herstellung erheblich reduziert.