Die Mitsubishi Electric Corporation gab bekannt, dass sie eine strategische Partnerschaft mit Nexperia B.V. eingehen wird, um gemeinsam Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) für den Markt der Leistungselektronik zu entwickeln. Mitsubishi Electric wird seine Wide-Bandgap-Halbleitertechnologien nutzen, um SiC-MOSFET-Chips zu entwickeln und zu liefern, die Nexperia zur Entwicklung von diskreten SiC-Bauelementen nutzen wird. Der Markt für Elektrofahrzeuge expandiert weltweit und trägt dazu bei, das exponentielle Wachstum von SiC-Leistungshalbleitern voranzutreiben, die geringere Energieverluste, höhere Betriebstemperaturen und schnellere Schaltgeschwindigkeiten als herkömmliche Silizium-Leistungshalbleiter bieten.

Es wird erwartet, dass die hohe Effizienz von SiC-Leistungshalbleitern wesentlich zur globalen Dekarbonisierung und grünen Transformation beitragen wird.