Intelliepi Inc. Cayman meldet Ergebnis für das dritte Quartal zum 30. September 2020
Am 11. November 2020 um 18:33 Uhr
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IntelliEPI Inc. Cayman gab die Ergebnisse für das dritte Quartal zum 30. September 2020 bekannt. Für das dritte Quartal gab das Unternehmen einen Umsatz von TWD 174,392 Millionen bekannt, verglichen mit TWD 183,739 Millionen vor einem Jahr. Das Betriebsergebnis lag bei 18,212 Millionen TWD gegenüber 23,207 Millionen TWD vor einem Jahr. Der Nettogewinn betrug 21,871 Millionen TWD gegenüber 21,253 Millionen TWD vor einem Jahr. Der unverwässerte Gewinn pro Aktie betrug 0,61 TWD gegenüber 0,58 TWD vor einem Jahr. In den ersten neun Monaten lag der Umsatz bei 485,962 Millionen TWD gegenüber 533,789 Millionen TWD im Vorjahr. Das Betriebsergebnis betrug 10,081 Millionen TWD gegenüber 65,039 Millionen TWD vor einem Jahr. Der Nettogewinn belief sich auf TWD 16,163 Millionen gegenüber TWD 54,465 Millionen vor einem Jahr. Der unverwässerte Gewinn pro Aktie betrug 0,45 TWD gegenüber 1,5 TWD vor einem Jahr.
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IntelliEPI Inc. (Cayman) ist eine auf den Kaimaninseln ansässige Holdinggesellschaft von Intelligent Epitaxy Technology, Inc. Das Unternehmen liefert auf Epitaxie basierende Verbindungshalbleiter-EPI-Wafer an die Elektronik- und Optoelektronikindustrie. Es bietet seinen Kunden eine Vielzahl von elektronischen und optoelektronischen EPI-Strukturen, die auf Galliumarsenid (GaAs) und Indiumphosphid (InP) gewachsen sind. Seine GaAs-basierten Produkte umfassen PHEMT (AlAs, InGaP Etch Stop) und MHEMT. Zu den Produkten auf InP-Basis gehören HBT (C-dotiert, Be-dotiert, GaAsSb), HEMT, RTT und RTD. Die Produkte auf Sb-Basis umfassen SLS-Photodetektoren vom Typ II, InP-HBT auf GaAsSb-Basis und EPI-fähige GaSb-Substrate. Zu den opto-elektronischen Produkten gehören Avalanche Photo Diode (APD), Laser (750 nm bis 1100 nm), VCSEL, PIN (GaAs, InP), QWIP, Modulatoren und Quantenkaskadenlaser. Das Unternehmen nutzt seine Technologie zur In-situ-Wachstumsüberwachung in Echtzeit auf Molekularstrahlepitaxie-Anlagen (MBE) für die Herstellung von EPI-Wafern auf GaAs und InP-Substraten.