Atomera Incorporated hat die Verfügbarkeit einer MST-Lösung bekannt gegeben, die die Leistung von RF-SOI-Wafer-Substraten für führende Produkte der zellularen Kommunikation drastisch verbessert. Das Unternehmen wird die Wirksamkeit dieser Lösung auf experimentellen 300mm RF-SOI-Wafern mit einer ultradünnen aktiven Schicht unter Verwendung einer neuen Formulierung der MST-Technologie von Atomera demonstrieren. Seit vielen Jahren ist bekannt, dass dünnere RF-SOI-Substrate eine höhere Leistung ermöglichen würden, aber die Kompromisse zwischen Geschwindigkeit und Leistungsaufnahme machten die Implementierung unpraktisch, bis diese Lösung von Atomera eingeführt wurde.

Diese Wafer, gepaart mit MST, sollten leistungsfähigere Antennenschalter, rauschärmere Verstärker (LNAs) und andere verbesserte RF-Komponenten für 5G Advanced und 6G-Anwendungen ermöglichen. Das Unternehmen arbeitet mit mehreren Herstellern von RF-IC-Produkten zusammen, um die vielfältigen Vorteile dieser MST-gestützten Technologielösung zu evaluieren und zu demonstrieren. RF-SOI-Substrate sind zur Standardplattform für viele RF-Bauteile geworden, insbesondere für Front-End-Module (FEMs), und werden heute in 100% der 5G-Smartphones verwendet.

RF-SOI-Substrate bieten eine deutlich bessere Linearität und ein geringeres Rauschen als herkömmliche Siliziumsubstrate und sind vollständig kompatibel mit bestehenden CMOS-Prozessabläufen. RF-SOI-Produkte und -Herstellungsprozesse sind bei zahlreichen IC-Lieferanten und Foundries erhältlich.