Feng Han

Feng Han

Geschäftsführer bei Chenqi Technology Ltd.

42 Jahre
Consumer Services
Technology Services
Transportation

Aktive Beziehungen

NameGeschlechtAlterUnternehmensverbindungenZusammenarbeit
Sen Quan Zhang M 47
1 Jahre
Rui Gao M 44
5 Jahre
Maoxiang Li M -
1 Jahre
Jun Yi Zhang M 46
1 Jahre
Hua Jiang M 51
5 Jahre
De Qiang Song M 42
2 Jahre
Lei Sun M 39
3 Jahre
Patrick Yue M -
The Hong Kong University of Science & Technology
13 Jahre
Ming Fai Chung M 45
-
Yee Kwan Law M 71
The Hong Kong University of Science & Technology
12 Jahre
Xiang Ping Zhong M 48
5 Jahre
Huinan Gu M -
5 Jahre
Wei Qiang Liang M 42
1 Jahre
Hui Bai F 35
1 Jahre
Jia Wei Li M 33
-
Mehr sehen

Beziehungs-Chart

Beziehungen zu mehreren Unternehmen

Ehemalige Beziehungen

NameGeschlechtAlterUnternehmensverbindungenZusammenarbeit
Randy Lampert M -
Georgia Institute of Technology
5 Jahre
Elias Krauklis M -
Georgia Institute of Technology
6 Jahre
George Y. Yu M -
Georgia Institute of Technology
8 Jahre
Ronald Sutedja M -
Georgia Institute of Technology
5 Jahre
Jeremy K. Miller M -
Georgia Institute of Technology
5 Jahre
Úlfar Freyr Stefánsson M -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Mark Cupta M -
Georgia Institute of Technology
7 Jahre
Brian Lee M -
Georgia Institute of Technology
6 Jahre
Bin Shi M -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Chang Liu F 35
The Hong Kong University of Science & Technology
5 Jahre
David Bates M -
Georgia Institute of Technology
7 Jahre
Kit Shun Yeung F 49
The Hong Kong University of Science & Technology
2 Jahre
Bennet Cory M -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Wen Chen M 47
The Hong Kong University of Science & Technology
2 Jahre
Huan Qing Wang M 52
The Hong Kong University of Science & Technology
2 Jahre
Li Ma F -
Georgia Institute of Technology
1 Jahre
Collin Wallace M -
Georgia Institute of Technology
5 Jahre
Magen McGahee F 38
Georgia Institute of Technology
2 Jahre
Zhi Ming Ma M 42
The Hong Kong University of Science & Technology
3 Jahre
Joseph Ng M -
The Hong Kong University of Science & Technology
4 Jahre
John Alexander Hanson M -
Georgia Institute of Technology
5 Jahre
Li Huo M 35
The Hong Kong University of Science & Technology
4 Jahre
Jun Wang M 37
The Hong Kong University of Science & Technology
2 Jahre
Deepak M. Divan M -
Georgia Institute of Technology
7 Jahre
Jia Jun Lai M 36
The Hong Kong University of Science & Technology
1 Jahre
Yunhao Liu M 63
The Hong Kong University of Science & Technology
7 Jahre
Arun Pai M -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Matthew Taylor M -
Georgia Institute of Technology
5 Jahre
Scott Durham M -
Georgia Institute of Technology
5 Jahre
Rufo de la Rosa M -
The Hong Kong University of Science & Technology
2 Jahre
Jian Hua Zhou M 43
The Hong Kong University of Science & Technology
3 Jahre
Dustin Moring M -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Tommy Levengood M -
Georgia Institute of Technology
3 Jahre
Chawla Anil M -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Liz Stein F -
Georgia Institute of Technology
2 Jahre
King Wai Wong M 41
The Hong Kong University of Science & Technology
2 Jahre
John Harris M -
Georgia Institute of Technology
1 Jahre
Clarence Yunze Deng M -
The Hong Kong University of Science & Technology
4 Jahre
Tina Tosukhowong F -
Georgia Institute of Technology
5 Jahre
Ding Fang Zhang M 39
The Hong Kong University of Science & Technology
1 Jahre
Melissa Chen F -
The Hong Kong University of Science & Technology
3 Jahre
Kam Yin Yan F 44
The Hong Kong University of Science & Technology
2 Jahre
Matthew Lewis M -
Georgia Institute of Technology
3 Jahre
Ning Chen M 49
Georgia Institute of Technology
3 Jahre
Hiu Lan Lee F 34
The Hong Kong University of Science & Technology
4 Jahre
Michelle Louie F -
Georgia Institute of Technology
2 Jahre
Ayanna Howard M 53
Georgia Institute of Technology
16 Jahre
Ryan Alexander Ely M -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Richard Alexander Scott M -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Timothy Dorr M -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
James Malcolm M -
Georgia Institute of Technology
3 Jahre
Colin P. Casey M -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Adam Bilali M -
Georgia Institute of Technology
3 Jahre
John L. Bradner M -
Georgia Institute of Technology
5 Jahre
Vishal Patel M -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Miki Hoiriis F -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Yi Hong Zhao M 58
The Hong Kong University of Science & Technology
2 Jahre
Bin Hua Luo M 59
The Hong Kong University of Science & Technology
2 Jahre
Rafael Corrales M -
Georgia Institute of Technology
3 Jahre
Devin Hunt M -
Georgia Institute of Technology
5 Jahre
Nicholas S. Dermatas M 39
Georgia Institute of Technology
5 Jahre
Dean Keener M -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Idiriss Maoui M -
Georgia Institute of Technology
3 Jahre
Travis Steed M -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Nicholas Julian Caplan M -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Kean Ee Tan M 35
The Hong Kong University of Science & Technology
4 Jahre
Charlie Salim M 44
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Wei Biao Zhan M 51
The Hong Kong University of Science & Technology
2 Jahre
Andrew Shields M -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Raj Makhija M -
Georgia Institute of Technology
2 Jahre
Jae-Won Lee M 55
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Hao Xiong M 39
The Hong Kong University of Science & Technology
3 Jahre
Ming Zhu M 39
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Tali Asias F -
Georgia Institute of Technology
3 Jahre
Catalina Araya Carvajal F -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Michael Hsu M -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Matthew Cauble M -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Christopher Gooley M -
Georgia Institute of Technology
5 Jahre
Sunil Chavan M -
Georgia Institute of Technology
2 Jahre
Takamasa Kawasaki M 45
The Hong Kong University of Science & Technology
1 Jahre
David Murray McInnis M -
Georgia Institute of Technology
3 Jahre
David Gehring M -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre
Chun Bong So M 38
The Hong Kong University of Science & Technology
2 Jahre
Allen McClinton M -
Georgia Institute of Technology
4 Jahre

Statistik

LandBeziehungen% des Gesamten
Vereinigte Staaten 59 59,60%
Hong Kong 27 27,27%
Cayman Islands 13 13,13%
China 2 2,02%

Alter der Beziehungen

Aktive

Vergangene

Herr

Frau

Aufsichtsräte

Führungskräfte

Ursprung der Beziehungen

  1. Börse
  2. Insiders
  3. Feng Han
  4. Persönliches Netzwerk
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