Vishay Intertechnology, Inc. hat zwei neue n-Kanal-TrenchFET®-MOSFETs vorgestellt, die die Leistungsdichte, den Wirkungsgrad und die Zuverlässigkeit auf Leiterplattenebene in Telekommunikations- und Industrieanwendungen erhöhen. Um diese Designziele zu erreichen, kombinieren der 60-V-SiJH600E und der 80-V-SiJH800E einen extrem niedrigen On-Widerstand mit einem Hochtemperaturbetrieb bis +175 °C und einer hohen kontinuierlichen Drain-Stromaufnahme. Ihr platzsparendes PowerPAK® 8x8L-Gehäuse fördert die Zuverlässigkeit auf Leiterplattenebene durch seine Bond-Wireless-Konstruktion und Gullwing-Anschlüsse zur mechanischen Entlastung. Der extrem niedrige Einschaltwiderstand des SiJH600E und SiJH800E von typisch 0,65 mO bzw. 1,22 mO bei 10 V ist um 54 % bzw. 52 % niedriger als der von Bauteilen der gleichen Generation im PowerPAK SO-8-Gehäuse. Dies führt zu Energieeinsparungen durch Minimierung der Leitungsverluste. Für eine höhere Leistungsdichte liefern der SiJH600E und der SiJH800E einen kontinuierlichen Drain-Strom von 373 A bzw. 288 A in einem Gehäuse, das 60 % kleiner und 57 % dünner ist als das des D²PAK. Um Platz auf der Leiterplatte zu sparen, kann jeder MOSFET auch anstelle von zwei PowerPAK SO-8-Bausteinen parallel eingesetzt werden. Muster des SiJH600E und SiJH800E sind ab sofort verfügbar. Informationen über Produktionsvorlaufzeiten und -mengen sind bei Vishay oder den Vertriebspartnern erhältlich.