Avalanche Technology und United Microelectronics Corporation haben die sofortige Verfügbarkeit neuer hochzuverlässiger persistenter SRAM (P-SRAM) Speicherbausteine in der 22nm Prozesstechnologie von UMC angekündigt. Basierend auf der neuesten Generation der Spin Transfer Torque Magnetoresistive RAM (STT-MRAM)-Technologie von Avalanche Technology bietet diese mit Spannung erwartete Produktplattform der dritten Generation erhebliche Vorteile in Bezug auf Dichte, Ausdauer, Zuverlässigkeit und Stromverbrauch gegenüber bestehenden nichtflüchtigen Lösungen. Avalanche Gen 3 Persistent SRAM: Die Parallel x 32 Serie wird als Standardprodukt in verschiedenen Dichteoptionen angeboten und verfügt über asynchrone SRAM-kompatible Lese-/Schreib-Timings.

Die Daten sind stets nichtflüchtig und haben eine branchenführende Lebensdauer von >1014 Schreibzyklen und eine Speicherdauer von 1.000 Jahren (bei 85°C). Beide Dichteoptionen sind in einem 142-Ball FBGA-Gehäuse (15mm x 17mm) mit geringem Platzbedarf erhältlich. Die Bausteine werden im erweiterten Betriebstemperaturbereich (-40°C bis 125°C) mit einem JEDEC-Qualifizierungsablauf angeboten, bei dem jeder Baustein vor der Auslieferung an den Kunden einem 48-stündigen Burn-In unterzogen wird.

Zusätzliche Qualifizierungsoptionen sind über Partner erhältlich.